_stels, да, все верно. Только производитель может

_stels, да, все верно. Только производитель может установить спираль мощностью не более 600 Вт. Мне удалось найти и установить готовую спираль диаметром около 6 мм и мощностью 1 кВт.
По графику. Зеленый, я так понимаю, это температура непосредственно верхнего нагревателя? Черный - непосредственно нижнего нагревателя? Если так, то выглядит все нормально. Хотя не зная деталей можно многое упустить. Например, мало верится что температура верха может быть на пике всего 290*С. Этого маловато. Или же вы очень низко опускаете верх, что не очень хорошо. Я бы посоветовал вам увеличить скорость нагрева низом до 150*С (на таких температурах это совершенно не критично)и потом независимо от верха продолжать греть низом до 180*С, а участок работы верха 150-200*С растянуть (увеличится фаза накопления тепла).
По пузырям. Все написанное исключительно ИМХО. Но на практике практически все выводы подтверждаются. Пузыри возникают в основном по двум причинам, по крайней мере эти я могу как-то пояснить и исправить.
1. Повышенное содержание влаги в подложке чипа (неправильное хранение и т.д.) или низкое качество этой самой подложки (недостаточная полимеризация связующих смол или еще что-то). Эти факторы можно исключить простой сушкой в течении 10 часов при температуре 120*С.
2. Чрезмерное тепловое воздействие на поверхность подложки и кристалла во время нагрева. Это в основном связано с тем, что температура поверхности чипа может быть значительно выше температуры на поверхности платы. Так разница может быть от 5-10*С (отлично отстроенный процесс пайки) до 20-30*С (несбалансированный процесс). В последнем случае практически гарантированны пузыри. Для того чтобы исключить возникновение пузырей необходимо исключить перегрев чипа. До начала фазы непосредственно пайки необходимо сообщить и накопить достаточно тепла в зоне пайки. Нижний нагрев должен максимально прогреть всю плату в допустимых пределах. Верхний нагреватель должен, практически до температуры ликвидуса, передать и накопить максимальное количество тепла в зоне пайки, а потом уже осуществить непосредственно расплавление шаров . Итак, опять же примерно, исключительно для понимая, так как конструкции станций и способы снятия температур у всех разные. Нижний нагреватель должен греть со средней скоростью 0,8 -1,0*С/ сек до достижения 170-190 *С и потом удерживать эту температуру независимо от работы верхнего нагревателя. Для верхнего примерно такой график. При 150*С верхний должен включиться и греть с малой скоростью, например 0,2- 0,3 *С/ сек, до 200*С (немного меньше температуры ликвидуса). За это время в зоне пайки будет накоплено необходимое количества тепла, которое облегчит тепловое воздействие на чип в конечной фазе плавления шаров. Следующий шаг от 200*С до 230*С со скоростью 0,4-0,5 *С/ сек. И наконец удержание на пике в течении 15 сек (необходима только для пайки, при снятии не нужно).
Также заметил, что чипы, размещенные в центре платы паяются гораздо легче, а вот чипы, размещенные ближе к краям платы, подвергаются более жесткому воздействию тепла. Здесь сказывается повышенный теплоотвод тепла от платы, с краю он интенсивнее, а также хуже эффективность нижнего подогрева. Разница в показаниях температур на поверхности чипа и платы в данной случае увеличивается. В этой ситуации фазу накопления тепла желательно увеличить.
Иногда возможен некачественный контакт датчика с платой или его кратковременное ухудшение, что может ввести ПИД в разнос. По этой и по предыдущей причине я отказался от работы ПИД регулятора, а работаю по мощностным профилям. Правда пришлось предварительно очень тщательно отстроить все процессы. Зато исключены колебания температуры самих нагревателей и в зависимости от платы время пайки (накопления) изменится само автоматически, не изменяя мгновенное выбранное воздействие на чип.

Примерно все выглядит так, хотя после еще что-то менял.