Различия состоят в том, что: 1) – Скорость нагревания

Различия состоят в том, что:
1) – Скорость нагревания ВИ значительно выше, чем НИ. Т.е. интенсивность излучения на единицу площади у ВИ больше.
2) – Площадь нагревания ВИ маленькая, соизмеримая с размером чипа.
3) – Поэтому нам необходимо "затолкать" большую мощность в маленький по площади излучатель.
Увеличить скорость нагревания ВИ можно двумя способами. 1. Поднять температуру нагревателя. 2. Приблизить излучатель к чипу.
Для любителей формул: - обратите внимание на зависимость мощности излучения от температуры (закон Стефана-Больцмана). Дальше посмотрите, где будет размещаться пик спектра излучения при данной температуре (закон смещения Вина) и, в заключение, посмотрите коэффициент "черноты" для материала излучателя при этой температуре.
Рассмотрим, что происходит при этом. Поднимая температуру, мы смещаем спектр в коротковолновую область. Излучение начинает прогревать более поверхностные слои, а дальше тепло медленно распространяется вглубь чипа (за счет теплопередачи материала). Это может привести к тому, что кристалл чипа перегреется (и "умрет"), а шары так и не получат достаточного количества теплоты.
При более низкой температуре излучателя и приближении его к чипу, происходит следующее: - более длинноволновое излучение глубже проникает в чип и быстрей достигает шаров, меньше вреда нанося кристаллу.
Отсюда выводы: - если необходимо увеличить скорость нагревания, то нужно приближать излучатель к чипу (интенсивность облучения, обратно пропорциональна квадрату расстояния), но не повышать температуру нагревателя.
Еще необходимо помнить о том, что температура под чипом выше, чем возле него. Это обусловлено тем, что горячий воздух под чипом никуда не девается (отсутствует конвекция). Шары на периферии чипа более холодные, чем в центре (краевой эффект, подмешивание холодного воздуха из вне).
Что касается работы с чипами в различных корпусах, то здесь тоже есть своя специфика. Все, что мы рассматривали, относится к корпусам BGA. Если корпус QFP, CFP, SO и т.п., то температура выводов чипа в местах пайки, ниже температуры корпуса. Причина этого явления в том, что металлы (особенно блестящие) хорошо отражают ИК излучение и мощности на нагревание выводов идет меньше, чем на корпус. Кроме того, отвод тепла от ножек больше (конвекция), а температура под корпусом выше (см. выше) Чтобы вернуть часть лучистой энергии назад, диафрагму (шторки) с наружной стороны полируют. Но возвращается незначительная часть энергии, т.к. энергетическая плотность, обратно пропорциональная квадрату расстояния, а лучи проходят двойное расстояние (от выводов до шторки и обратно).
Поэтому, чипы в этих корпусах, лучше защищать с помощью фольги. Исключение составляют те случаи, когда подложка (теплоотвод) чипа припаивается к фольге платы.