Уважаемый maxlabt,если не затруднит,хотя бы короткое мнение вот
29 Мар 2014 - 14:00 Unknown BIOS
Уважаемый maxlabt,если не затруднит,хотя бы короткое мнение вот по такому профилю:
(время-Тплаты/Тчипа,АН1/АН2 1 и 2 ступень ВИ):
~12 сек- 24/26,начало набора Т°C платой.
60 сек - 48/54
100 сек - 81/88,начало ПИД регулирования НИ
120 сек - 100/105,АН1=235°C
150 сек - 120/127
180 сек - 140/150
195 сек -151/168 начало интенсивного набора Т.зоны пайки
210 сек - 159/188,АН2=345°C
220 сек - 161(Т.уставки)/194,АН2 345°C
250 сек - 165/233,стоп
265 сек - 165/236 ВИ в сторону(Т.стабилизировалась),снимаем воображаемый чип.
Профиль изобрел не я улыбка человек с другого форума.Он очень аргументированно все обосновал.Привлекло сокращение времени теплового удара на чип и,конечно,времени "стресс-теста" материнки.
Уважаемый maxlabt,если не затруднит,хотя бы короткое мнение вот по такому профилю:
(время-Тплаты/Тчипа,АН1/АН2 1 и 2 ступень ВИ):
~12 сек- 24/26,начало набора Т°C платой.
60 сек - 48/54
100 сек - 81/88,начало ПИД регулирования НИ
120 сек - 100/105,АН1=235°C
150 сек - 120/127
180 сек - 140/150
195 сек -151/168 начало интенсивного набора Т.зоны пайки
210 сек - 159/188,АН2=345°C
220 сек - 161(Т.уставки)/194,АН2 345°C
250 сек - 165/233,стоп
265 сек - 165/236 ВИ в сторону(Т.стабилизировалась),снимаем воображаемый чип.
Профиль изобрел не я улыбка человек с другого форума.Он очень аргументированно все обосновал.Привлекло сокращение времени теплового удара на чип и,конечно,времени "стресс-теста" материнки.