Так кто бы спорил , только протекать ему легче там, где канал "толще", т.е нагрузка на оригинальные транзисторы конечно возрастёт, но и через данный транзистор будет протекать немного меньше тока. Может конечно ошибаюсь, но если проводить аналогии с обычными резисторами включёнными параллельно, то бОльший ток будет протекать через резистор с наимЕньшем сопротивлением. Конечно, применительно к транзисторам в данном случае влияют и другие условия, но это так - мысли вслух.