Посмотрел я осциллографом рабочую и нерабочую карточки, предварительно верхнее плече ШИМ запитал через резистор 12 Ом. Транзистор вместо АО4410 пробовал HAT2165H (documentation.renesas.com/eng/products/transistor/rej03g0004_hat2165h.pdf ) (заведомо рабочий , снял с донора) Вобщем попробую описать картину: Рабочая ВК: Смотрел на следующих выводах ШИМ -
Посмотрел я осциллографом рабочую и нерабочую карточки, предварительно верхнее плече ШИМ запитал через резистор 12 Ом. Транзистор вместо АО4410 пробовал HAT2165H (documentation.renesas.com/eng/products/transistor/rej03g0004_hat2165h.pdf ) (заведомо рабочий , снял с донора)
Вобщем попробую описать картину:
Рабочая ВК:
Смотрел на следующих выводах ШИМ -
UGATE(верхнее плече) - импульсы от 0-12В длительностью 1мкс , период 3мкс.
LGATE(нижнее плече) - импульсы от 6-0 В длительностью 1мкс , период 3мкс.
НЕрабочая ВК !:
UGATE - импульсы от 6В до нуля не доходят , длительность примерно 5-10мкс , период -100мкс !!!
LGATE - импульсы от 0 В и где-то до 6 В , длительность очень маленькая,примерно 2-3мкс , а вот период тотже - 100мкс !!!
Вобщем, мне непонятно почему себя ведет так ШИМ.
PS: ШИМ работает, на нем поднимается уровень FS_DIS и напряжение на памяти появляется -1.8 В -норма.