For the synchronous rectifier, Q2, the MOSFET must meet the voltage and current requirements of the application. It must also have a sufficiently low RON, so that the conduction lossis small enough to meet the efficiency target. For this MOSFET, the gate charge plays a secondary role in power dissipation.
For the control device, Q1, the dynamic or switching losses are the predominant factor, and conduction losses play a secondary role. The MOSFET should meet the voltage and current specification with as low a gate charge as possible to keep the dynamic losses small. Secondarily, seek a device with a moderate RON.
Т.е. при выборе, мосфет нижнего плеча должен удовлетворять требованиям преобразователя по напряжению и току и иметь как можно меньшее Rds. Мосфет верхнего плеча должен удовлетворять требованиям по напряжению и току и как можно меньшую емкость перехода.
Это в принципе понятно и на практике по даташитам на мосфеты нужные паратметры находятся и анализируются, но вот с температурами не очень понятно.
Цитата:
Основной критерий выбора (кроме примитива - максимальные напряжение и ток) - температура транзисторов в наиболее тяжелом режиме(ах). От температуры можно перейти к мощности потерь, а от мощности потерь - к остальным параметрам.
maco, как проводить сравнение и выбор мосфетов отталкиваясь от температуры в тяжелом режиме на практике?
Теорию изучил на примере вот этой статьи edn.com/design/components-and-packaging/4341997/A-simple-guide-to-selectin...
Вывод в ней такой:
For the synchronous rectifier, Q2, the MOSFET must meet the voltage and current requirements of the application. It must also have a sufficiently low RON, so that the conduction lossis small enough to meet the efficiency target. For this MOSFET, the gate charge plays a secondary role in power dissipation.
For the control device, Q1, the dynamic or switching losses are the predominant factor, and conduction losses play a secondary role. The MOSFET should meet the voltage and current specification with as low a gate charge as possible to keep the dynamic losses small. Secondarily, seek a device with a moderate RON.
Т.е. при выборе, мосфет нижнего плеча должен удовлетворять требованиям преобразователя по напряжению и току и иметь как можно меньшее Rds. Мосфет верхнего плеча должен удовлетворять требованиям по напряжению и току и как можно меньшую емкость перехода.
Это в принципе понятно и на практике по даташитам на мосфеты нужные паратметры находятся и анализируются, но вот с температурами не очень понятно.
maco, как проводить сравнение и выбор мосфетов отталкиваясь от температуры в тяжелом режиме на практике?