Возможно ли заменить FHF12N65 На FCP16N60

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 52 nC
Время нарастания (tr): 90 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 960 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm