Моя плакалЪ. Ну, давайте - расскажи-те нам, чем же HexFET отличается от TrenchMOS и пр.?
Мое мнение таково - это все всего лишь товарные марки MOSFET'ов. Потому что каждая фирма использует чуть отличающуюся технологию их изготовления. Нам, как пользователям, это торговое наименование ДО ЛАМПОЧКИ. А реально должно волновать - параметры самого полевого транзистора.
Касательно того, почему полевые транзисторы греются - ИМХО, это происходит из-за наличия сопротивления у канала. С другой стороны, очевидно, что линейный стабилизатор на ОУ+полевом транзисторе работает так, что ОУ корректирует напряжение на затворе до тех, пока на транзисторе не будет нужного нам падения. Поэтому - глубоко параллельно какие MOSFET'ы будут запаяны. И выделяемая мощность не зависит от транзистора...
maco писал(-а):
Это линейный стабилизатор. Замена транзистора ничего не изменит. Степень нагрева зависит от разницы между входным и выходным напряжением стабилизатора и протекающим током. В лучшем случае можете изобразить какой-нибудь радиатор.
Erstmann
Моя плакалЪ. Ну, давайте - расскажи-те нам, чем же HexFET отличается от TrenchMOS и пр.?
Мое мнение таково - это все всего лишь товарные марки MOSFET'ов. Потому что каждая фирма использует чуть отличающуюся технологию их изготовления. Нам, как пользователям, это торговое наименование ДО ЛАМПОЧКИ. А реально должно волновать - параметры самого полевого транзистора.
Касательно того, почему полевые транзисторы греются - ИМХО, это происходит из-за наличия сопротивления у канала. С другой стороны, очевидно, что линейный стабилизатор на ОУ+полевом транзисторе работает так, что ОУ корректирует напряжение на затворе до тех, пока на транзисторе не будет нужного нам падения. Поэтому - глубоко параллельно какие MOSFET'ы будут запаяны. И выделяемая мощность не зависит от транзистора...
rom.by/comment/192295