В общем, что сделано:
1) Предохранитель сдох по цепи питания от шины pci-e. КЗ на этой линии отсутствует;
2) Сопротивление по памяти ~110 Ом (измерение от земли до ножки дросселя);
3) Косяк где-то на входе так как на выходе с драйверов у ГПУ сопротивление 3.3 Ом, у памяти как в п. 2;
4) На карточке есть прямоугольник с подписью PLL, там 2 площадки V и VR. Если приложить щупы к этим дыркам в пределах этих площадок, то на выводах первой 330 Ом, на второй 160 КОм (наверное это ненормально, хотя я не знаю что это такое);
5) Прозвонил по методике Core с ютуба GL и GH DrMos'ов - значение везде примерно одинаковые, различие в 20-40 мВ в режиме прозвонки диодов;
6) На приложенной картинке обвёл красным транзистор у которого выводы 1 и 2 звонятся коротко.
В общем, что сделано:
1) Предохранитель сдох по цепи питания от шины pci-e. КЗ на этой линии отсутствует;
2) Сопротивление по памяти ~110 Ом (измерение от земли до ножки дросселя);
3) Косяк где-то на входе так как на выходе с драйверов у ГПУ сопротивление 3.3 Ом, у памяти как в п. 2;
4) На карточке есть прямоугольник с подписью PLL, там 2 площадки V и VR. Если приложить щупы к этим дыркам в пределах этих площадок, то на выводах первой 330 Ом, на второй 160 КОм (наверное это ненормально, хотя я не знаю что это такое);
5) Прозвонил по методике Core с ютуба GL и GH DrMos'ов - значение везде примерно одинаковые, различие в 20-40 мВ в режиме прозвонки диодов;
6) На приложенной картинке обвёл красным транзистор у которого выводы 1 и 2 звонятся коротко.
Какие тут варианты? Межслойное?