Место для данного обсуждения в технологиях

Место для данного обсуждения в "технологиях", но всё же..............


Цитата:
но окисная пленка при этом частично разрушается
При описанном вами (что к стати не исключаю) варианте и дальнейшем прогреве (до плавления припоя) пятно контакта на шаре с частично разрушенным окислом должны спаяться с пятаком на кристалле, а за счёт поверхностного натяжения это пятно должно увеличится до "нормального" (технологического размера зависящего от размера шарика припоя и расстояния между кристаллом и подложкой, а так же размера самого контактного пятака), т.е пайка в принципи должна будет восстановиться до состояния практически первоначального состояния, чего к сожалению не происходит ИМХО.
Цитата:
обычное окисление пятаков на подложке.
Так сравните толщину контактных площадок на подложке (где ограничения не такие как на кристалле) и на самом кристалле, на которые окисление действует именно разрушающе. ИМХО