В таком случае, в этой схеме этот

В таком случае, в этой схеме этот транзистор Q18 2222А работает в барьерном режиме, как диод.
База соединена с коллектором через smd-сопротивление 330Ом, соединена с GND через smd-конденсатор CB45 (C845?) и еще соединена с GND через smd-резистор 330Ом. Все эти smd-элементы расположены непосредственно вблизи Q18.
Эмиттер соединен с GND через smd-конденсатор CB94 (С894?) слева от южного моста.
Коллектор соединен с выводом Vin у Q12 (LD1117 в корпусе sot-223 pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/94381/STMICROELECTRONICS/LD1117.html) и еще соединен с каким-то там по счету контактом в разъеме AMR (похож на PCI-x).

Выяснилось, что smd-конденсатор CB45 (C845?) пробит, база 2222А коротит через него с GND. Заменил на похожий по размеру и цвету. Теперь, при включении БП в сеть, транзистор Q18 греется гораздо медленнее. Зато, после 5-6 секунд с включенным БП материнка самопроизвольно включается, начинает крутиться кулер. Потом я быстро выключаю БП, т.к. побаиваюсь такой самостоятельности, не хочется напрочь спалить материнскую плату.

Кстате, цепь с конденсатором CB45 (C845?), который я поставил, имеет сопротивление около 200Ом. А вот цепь с CB94 (С894?) всего около 20Ом.
Жду совета. Куда копать дальше?