Ну как бы думать я пробовал но совсем немножко ))), ибо мало ли что там китайцы наворотили. Дали второй такой блок рабочий промерял его выпаял на еср-метре глянул на него, вот что имеем: Полевой транзистор с двумя диодами между Source & Gate и между Source & Drain C=2.86nF, Vt=3.7V, промерял относительно минуса конденсатора высоковольтного = Gate = 0.275V, Drain=244V, Sourec= 0V. И на всякий случай между собой тоже промерял что снапряжениями G-D=245V, G-S=-0.276V, D-S=-246V. Плз подскажите как подобрать транзистор чтоб там заработал нормально, понятно что полевой по вольтажу до 300-350V. N-канальный или P-канальный. Ну этот параметр Uds,V больше 300 тем лучше главное чтоб в корпус влез. Idd,A ток тоже чем больше тем лучше, но сколько минимум для 750W блока питания. Когда поставил этот SPP16N50C3 - TO-220-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 16 А: Rси(вкл): 0.28 Ом: @Uзатв(ном.) 10 В. сгорел сразу после него в цепи Gate первый же элемент - 20 Ом сопротивление. Надеюсь на совет и помощь. Благодарю.
Ну как бы думать я пробовал но совсем немножко ))), ибо мало ли что там китайцы наворотили. Дали второй такой блок рабочий промерял его выпаял на еср-метре глянул на него, вот что имеем: Полевой транзистор с двумя диодами между Source & Gate и между Source & Drain C=2.86nF, Vt=3.7V, промерял относительно минуса конденсатора высоковольтного = Gate = 0.275V, Drain=244V, Sourec= 0V. И на всякий случай между собой тоже промерял что снапряжениями G-D=245V, G-S=-0.276V, D-S=-246V. Плз подскажите как подобрать транзистор чтоб там заработал нормально, понятно что полевой по вольтажу до 300-350V. N-канальный или P-канальный. Ну этот параметр Uds,V больше 300 тем лучше главное чтоб в корпус влез. Idd,A ток тоже чем больше тем лучше, но сколько минимум для 750W блока питания. Когда поставил этот SPP16N50C3 - TO-220-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 16 А: Rси(вкл): 0.28 Ом: @Uзатв(ном.) 10 В. сгорел сразу после него в цепи Gate первый же элемент - 20 Ом сопротивление. Надеюсь на совет и помощь. Благодарю.