1 транзистор (TO-252) - D434 или 8E6K1T: S - 1.2V; D - 1.75V; G - 2.5V;
2 в районе разъёма PCI-E, точнее с его торца со стороны задней панели матплаты - RJN CN: S - 3.3V; D - 2.4V; G - 2.9V;
D (Drain) - стоком считал подложку и средний вывод
S (Source) - истоком считал верхнюю ногу, если положить транзистор ногами вправо
G (Gate) - затвором считал нижнюю ногу, если положить транзистор ногами вправо
1 транзистор (TO-252) - D434 или 8E6K1T: S - 1.2V; D - 1.75V; G - 2.5V;
2 в районе разъёма PCI-E, точнее с его торца со стороны задней панели матплаты - RJN CN: S - 3.3V; D - 2.4V; G - 2.9V;
D (Drain) - стоком считал подложку и средний вывод
S (Source) - истоком считал верхнюю ногу, если положить транзистор ногами вправо
G (Gate) - затвором считал нижнюю ногу, если положить транзистор ногами вправо