Добрый день!
Ремонтируя ровно год эту мамку наконец-то достих переменного успеха Шучу, поменялись жизненные приоритеты просто, и времени на хобби нет.
Так вот, по рекомендации Maco был модифицирован инвертор под MOSFET, а именно:
- в цепь затвора верхних плеч установлен резистор на 2 ома
- есс-но заменены все LD1010D на D412, выпаянные в свою очередь из инвертора мамана 775 сокета. DATASHEET
- пробитые 2 шт. 06NO3 из нижнего плеча заменены на 20NO3L.
- заменен ШИМ HIP6602B
Инвертор приобрел такой вид как на рисунке.
Проблема: все работает, НО: инвертор очень сильно греется. На камне Селерон 1.7 питание ядра в норме- 1,75В, но просадка по каналу +12В ~ 0.4В, т.е. 11,6. (нагрузка:мамка, проц, ОЗУ 256МБ, видик 2МХ-400)
БП новый, микролаб 360.
На другой мамке с этим камнем и аналогичным железом просадки нет по +12, фактическое 11.95В при теплом инверторе.
Подскажите, куда копать?
Может неудачно выбрал замену, Datasheet привожу.
Добрый день!
Ремонтируя ровно год эту мамку наконец-то достих переменного успеха Шучу, поменялись жизненные приоритеты просто, и времени на хобби нет.
Так вот, по рекомендации Maco был модифицирован инвертор под MOSFET, а именно:
- в цепь затвора верхних плеч установлен резистор на 2 ома
- есс-но заменены все LD1010D на D412, выпаянные в свою очередь из инвертора мамана 775 сокета. DATASHEET
- пробитые 2 шт. 06NO3 из нижнего плеча заменены на 20NO3L.
- заменен ШИМ HIP6602B
Инвертор приобрел такой вид как на рисунке.
Проблема: все работает, НО: инвертор очень сильно греется. На камне Селерон 1.7 питание ядра в норме- 1,75В, но просадка по каналу +12В ~ 0.4В, т.е. 11,6. (нагрузка:мамка, проц, ОЗУ 256МБ, видик 2МХ-400)
БП новый, микролаб 360.
На другой мамке с этим камнем и аналогичным железом просадки нет по +12, фактическое 11.95В при теплом инверторе.
Подскажите, куда копать?
Может неудачно выбрал замену, Datasheet привожу.