Чипсет 440BX ограничения плотности модулей памяти

Не проверял по даташитам. На ВХ подходит двух баковая память, а плотность тут на втором месте. Модули на 256Мб я ставил с 16 чипами, с 8 чипами либо половина либо ничего.

Не совсем понял про 16 и 8 чипов .. Для гарантированной работы нужны двухсторонние модули?

нет, односторонние тоже работают.
С моей дилетантской точки зрения при подборе памяти есть следующие грабли:
а) макс. поддерживаемый объем, поддерживаемый чипсетом на банк, т.е. обычно "одну сторону" модуля памяти. Тут у BX все плохо - в один слот можно вставить макс. 256МБ модуль, при этом на банк получается макс. 128МБ. При этом макс. объем получается - 1ГБ четырьмя плашками по 256МБ.
б) макс. поддерживаемая плотность чипов. BX плашки на базе 256МБит микросхем видит наполовину. Причиной называлось отсутствие одной адресной линии у BX.

Для разбора маркировки микросхемы и получения выводов из этого возьмем простейший пример - Микроновский чип MT48LC32M4A2. В даташите на него пишут:

128Mbit SYNCHRONOUS DRAM Chip (тут все понятно - 128Mbit'ный чип памяти)
8 Meg x 4 x 4 banks (это у нас организация, т.е. 32Meg x 4, т.е. 32M 4-хбитовых ячеек, для того, чтобы набрать банк памяти нам нужно 64 бита/4 бита = 16 чипов памяти)
Т.о. получается, что один модуль на 256МБ получается однобанковым, хотя обычно и лепят все 16 его микросхем на обе стороны плашки и оный модуль на BX увидится лишь на половину.

При этом глубже я не копал, но у меня есть подозрение, что п.а. и п.б. взаимосвязаны. Даташиты на модули памяти и чипсет вполне спокойно можно скачать и разобраться в сути проблемы. Если получится, то расскажите, пожалуйста, т.к. вопросы организации памяти весьма запутанны - чего только стоит наличие минимум трех разных терминов "банк".
в) спецификации по таймингам и частотам. Лучше всего конечно брать PC133 CL2, хотя если проц будет на 100-ю шину, то, понятное дело, можно обойтись и PC100 памятью. Но при этом BX все равно будет весьма привередлив - т.е. часть исправных модулей будет работать отлично, а часть отвратительно (могут сыпать ошибками, а снижение рабочей частоты может их кол-во убавить или вообще избавить от них). В частности весьма сложно, но вполне реально набрать 1ГБ на BX на 150-й шине.

Итого (ну, для того, чтобы был хоть какой-то результат):
а) 256МБ модули 16 чипов работают, но не все. А именно - работают на микросхемах 16Mx8bit, а работают на половину - 32Mx4bit.
б) 256МБ модули на 8 чипах, т.е. с плотностью 256MBit не работают на полный объем ВСЕ.
в) 128МБ на 8 чипах работают все.
г) 4-хчиповые модули 128МБ не помню, что тестил, но работать вроде как работают.

Придется видать еще раз вдумчиво поизучать даташиты, что поделать. Конкретно эти модули точно PC133, Cl3 - так указывает сам Кингстон. Скорее всего придется действительно подбирать модули простым перебором - уж очень велик соблазн завести на этой мамке туалатин. Его я найду весьма дешего, подходящая видеокарта тоже проблемой не будет (я так думаю) Про завышение частоты AGP в курсе. Будем копать, так сказать..

Вот видать где вся соль. У моих модулей плотность как раз 256Мбит выходит (128Мб на 4 чипах).

Автор, если хорошо поищете, то найдете на этом форуме, как заставить на 440БэИксе работать планки на 512 Мбайт. Думаю, есть шанс, что Вам может помочь.

Ограничение на плотность - ИМХО вторичное.

из моего опыта общения с мамками на чипсетах zx, bx, lx:
верно понимают модули 8чиповые на 32, 64, 128 метра. 256 метровые только 16 чиповые. на 512 16 чиповую видела только половину. скорее всего ей на 512 нужны 32 чиповые (видел такие)

Поизучал официальные доки самой интел,
"Hardware design support FAQ" недвусмысленно заявляет:

Are 256Mbit SDRAM's supported?
The 82443BX does not support 256Mbit technology SDRAM.

128Mbit technology SDRAM using 16MX8 devices has been tested in the Intel® 82440BX System Validation (SV) platform using the 82443BX C-1 stepping. This SDRAM memory configuration was double-sided. Each SDRAM DIMM module therefore contained a total of 256MB of memory. A total of four DIMM modules were available for testing. For further information please see page 25 of the specification update.

Т.е. действительно 16Мб на чип. Но вот в даташите сам черт ногу сломит:
download.intel.com/design/chipsets/datashts/29063301.pdf

Integrated DRAM controller
— 8 to 512 Mbytes or 1GB (with
registered DIMMs)
— Supports up to 4 double-sided

DIMMs (8 rows memory)
— 64-bit data interface with ECC
support (SDRAM only)
— Unbuffered and Registered
SDRAM (Synchronous) DRAM
Support (x-1-1-1 access @ 66 MHz,
x-1-1-1 access @ 100 MHz)
— Enhanced SDRAM Open Page
Architecture Support for 16- and
64-Mbit DRAM devices with 2k, 4k
and 8k page sizes

Мне явно нехватает знаний по этому поводу..как понимать выделенное заявление?
В любом случае, сегодня попробую поменять эти плашки памяти на другие.

Если подразумевается "противоречие", то в те времена когда писался сам даташит, не было ни 128Мбит, ни 256Мбит чипов. Так что они потом уже дописали в последующих документах, что 128МБит технология поддерживается, а вот 256 - нет.
Насколько я понимаю, кол-во слотов, поддерживаемых чипсетом определяется вот этим:

А вот какие модули поддерживаются, этим:

Тут мне еще схемку прислали, которая как-то может помочь в поддержке 512МБ модулей на BX

Спасибо за подсказки, теперь буду думать..
До пайки этой схемы я точно не доберусь (не справлюсь с её конкретизацией), но вот поупражнятся в логике будет полезно.

Как я понял, программно ситуация явно не решаема. Новейший биос не помог.
Нашел весьма доходчиво написаную страничку, про выбор пямяти для BX:
homepage.hispeed.ch/rscheidegger/ram_bx_faq.html

Ходил сегодня по лоткам - от моих модулей народ шарахался как от огня. Наивно с моей стороны было идти и пытаться их менять, а платить за 256Мб модули пока как то очень не хочется.