При индуктивности 300-400 мкГн постоянно пробивало транзисторы АPFC. По внешнему виду перегрева дросселя не было, но индуктивность отличалась почти в два раза от той которая была указана на схеме.
При индуктивности 300-400 мкГн постоянно пробивало транзисторы АPFC. По внешнему виду перегрева дросселя не было, но индуктивность отличалась почти в два раза от той которая была указана на схеме.