Точно такого самсунга нет, поэтому ни чего точно сказать не могу, вот замеры того, что у меня есть в наличии:
Qimonda 1-Gbit GDDR3 HYB18H1G321AF–10: Vss->Vddq - 13 kOm (чёрный - Vss, красный - Vddq), 16.5 kOm (щупы в обратной полярности); Vss->Vdd - 14.7 kOm, 7.5 kOm (щупы в обратной полярности).
Samsung 512Mbit GDDR3 K4J52324QE-BC12: Vss->Vddq - 165 kOm, 52 kOm (щупы в обратной полярности); Vss->Vdd - 21 kOm, 11 kOm (обратная полярность).
Samsung 256Mbit GDDR3 K4J55323QG-BC14: Vss->Vddq - 800 kOm, 50 kOm (в обратной полярности); Vss->Vdd - 38 kOm, 10.5 kOm (обратная полярность).
PS. Замеры проводились в режиме замера сопротивления до 20 kOm, а где не хватало, до 2 MOm, прибором MASTECH MY65.
Точно такого самсунга нет, поэтому ни чего точно сказать не могу, вот замеры того, что у меня есть в наличии:
Qimonda 1-Gbit GDDR3 HYB18H1G321AF–10: Vss->Vddq - 13 kOm (чёрный - Vss, красный - Vddq), 16.5 kOm (щупы в обратной полярности); Vss->Vdd - 14.7 kOm, 7.5 kOm (щупы в обратной полярности).
Samsung 512Mbit GDDR3 K4J52324QE-BC12: Vss->Vddq - 165 kOm, 52 kOm (щупы в обратной полярности); Vss->Vdd - 21 kOm, 11 kOm (обратная полярность).
Samsung 256Mbit GDDR3 K4J55323QG-BC14: Vss->Vddq - 800 kOm, 50 kOm (в обратной полярности); Vss->Vdd - 38 kOm, 10.5 kOm (обратная полярность).
PS. Замеры проводились в режиме замера сопротивления до 20 kOm, а где не хватало, до 2 MOm, прибором MASTECH MY65.