Тогда Ваше мнение по описанию функционирования шима из даташита, конкретно Over-Current Protection на стр.10.
1. Указан ШИМ APW7165A - в нем механизм Over-Current Protection попроще.
2. Если рассуждать относительно APW7165, то достаточно внимательно прочитать описание:
Цитата:
A resistor (ROCSET), connected from the LGATE to the GND, programs the over-current trip level. Before the IC initiates a soft-start process, an internal current source, IOCSET (21.5mA typical), flowing through the ROCSET develops a voltage (VROCSET) across the ROCSET. During the normal operation, the device holds VROCSET and stops the current source, IOCSET.
и понять последнее предложение.
Вольный перевод:
Цитата:
Перед инициализацией процесса "мягкого" старта вывод LGATE используется для задания порога токовой защиты. Напряжение на резисторе ROCSET (VROCSET), полученное в этот момент, запоминается. Во время нормальной работы (процесс "мягкого" старта тоже входит в понятие нормальной работы) источник IOCSET отключается и используется запомненное значение VROCSET для сравнения с напряжением, которое снимается между выводами стока и истока транзистора в нижнем плече во время его открытого состояния.
Aleksey_56 писал(-а):
snAke666 писал(-а):
Хотите сказать шим подает на затворы мосфетов верхнего и нижнего плеч импульсы разной амплитуды?
Да
Вообще-то зависит от точки отсчета .
Если рассматривать ситуацию с точки зрения отдельных транзисторов, то импульс на затворе транзистора в верхнем плече относительно истока транзистора в верхнем плече по амплитуде равен импульсу на затворе транзистора в нижнем плече относительно истока транзистора в нижнем плече.
Если взять общую точку отсчета - исток транзистора в нижнем плече, то импульсы будут разными по амплитуде в данной реализации схемы. Я легко изображу схему на основе APW7165 или APW7165A, в которой амплитуда импульсов на затворах транзисторов будет одинакова относительно истока транзистора в нижнем плече (входное преобразуемое напряжение должно быть меньше напряжения питания ШИМ хотя бы на 5 В). Схема будет слегка неэффективна (или эффективна и более дорога), но работать будет нормально.
snAke666 писал(-а):
Я думал итоговое напряжение достигается и регулируется только изменением частоты импульсов одинаковой продолжительности.
Нда, вам бы сначала расшифровать аббревиатуру ШИМ (PWM) - широтно-импульсная модуляция и поглядеть на картинки, приводимые в документации некоторых ШИМов.
2. Если рассуждать относительно APW7165, то достаточно внимательно прочитать описание:
Вольный перевод:
Если рассматривать ситуацию с точки зрения отдельных транзисторов, то импульс на затворе транзистора в верхнем плече относительно истока транзистора в верхнем плече по амплитуде равен импульсу на затворе транзистора в нижнем плече относительно истока транзистора в нижнем плече.
Если взять общую точку отсчета - исток транзистора в нижнем плече, то импульсы будут разными по амплитуде в данной реализации схемы. Я легко изображу схему на основе APW7165 или APW7165A, в которой амплитуда импульсов на затворах транзисторов будет одинакова относительно истока транзистора в нижнем плече (входное преобразуемое напряжение должно быть меньше напряжения питания ШИМ хотя бы на 5 В). Схема будет слегка неэффективна (или эффективна и более дорога), но работать будет нормально.