Нет, чипы нарезают лазером (или алмазной пилой,

Нет, чипы нарезают лазером (или алмазной пилой, как на том заводе, где я был). А трещины и термические изменения кристалла как раз и могут появиться в процессе их разделения. Насколько я понял со слов переводчицы (и насколько запомнил - 5 лет назад дело было как-никак), пластина чипов - это лишь кремниевое основание (первый слой как-бы) на которое потом наращивают ячейками послойно сами тела чипов. Потом их первично тестируют, режут, моют, смотрят оптикой, вставляют в контактные рамки, соединяют контактные площадки чипа и внешние контакты рамки золотыми нитями и заплавляют в пластик, а затем выборочно тестируют (это рассказывали на заводе Kingston по изготовлению чипов памяти). Но думаю процесс изготовления видеочипов и чипсетов отличается не сильно, лишь финальной стадией.

Вообще-то да Видимо я напутал (невысыпаюсь последнее время), наоборот чипы с меньшим R становятся десктопными. Но здесь все тоже не так просто - мы же не о резисторе говорим, и не о ключе! А о сложной мультиструктурной микросхеме с огромным количеством (сотни миллионов) p-n переходов. Насколько я себе это представляю, потребляемая чипом мощность в определенный момент времени зависит от количества задействованных в этот момент p-n переходов и вещества (его атомной структуры) их составляющего, а также от материала внутренних проводников, соединяющих эти переходы и, что немаловажно, частоты их переключения. Для гарантированно стабильного переключения транзисторов чипа из 0 в 1 нужна достаточная плотность тока, напрямую зависящая от напряженности электрического поля в данной точке. Допустим стандартное напряжение для уверенного переключения равно 1В и чем выше частота, тем большее напряжение требуется (из-за размазывания границы 0 и 1, обусловленное емкостью p-n перехода). Теперь представим идеальную ситуацию, когда в чипе каждый такт задействованы все p-n переходы (максимальная нагрузка), тогда потребляемый чипом ток будет суммой всех In, бегущих по этим переходам. Но сопротивления-то у всех этих переходов неодинаковые! Это связано с неидеальной повторяемостью техпроцесса - где-то проводник недостаточно диффундировал
или поучился чуть шире/уже, где-то слой изолятора получился чуть толще/тоньше, все это увеличивает/уменьшает сопротивление и емкость перехода, а когда счет идет на сотни миллионов это может складываться в значительную разницу! Теоретически, чипы с минимально возможными для данного техпроцесса емкостью и сопротивлениями p-n переходов способны стабильно(!) работать на значительно бОльших частотах при данном напряжении питания, но потребляют при этом бОльший ток и соответственно греться они будут больше своих "менее качественных" собратьев, работающих при том же VCC, но с бОльшим сопротивлением и меньшим током. Этим объсняется плохая "разгоняемость" мобильных процов - слишком большИе емкость и сопротивление переходов не дают им переключаться
достаточно быстро.

Все вышенаписанное - мое ИМХО, на истину в первой инстанции НЕ ПРЕТЕНДУЮ