Напряжение на мосфете под слотами памяти, что над южником G - 11V, D - 5V, S -1.5V.
Бедный транзистор. Хотя есть некоторые сомнения в достоверности данных.
Uranus писал(-а):
А напряжение на мосфете что стоит между AGP слотом и сломати памяти G - 11V, D - 0V, S - 0V. мосфет этот до перепайки юга был замененс никоса 3055 на 15NO3H, ну и после перепайки юга подумал что он может быть неисправен и поменял на D1703, но ничего не изменилось, напруги так и остались 11в, 0в, 0в.
Вы можете еще 10 раз заменить транзистор и ничего не изменится.
Интересно, когда автор догадается указывать позиционное обозначение элементов?
Интересно, когда автор догадается указывать позиционное обозначение элементов?