В документации на MOSFET ы стали

13 Июн 2010 - 22:52
Сказочник >> 27403 >> 1742.14

poddel писал(-а):
в даташитах MOSFETa, где нормируются параметры встоенного диода, цифры диода превосходят (грубо говоря) цифры транзистора.
В документации на MOSFET'ы стали указывать время включения диода:)? Приведите пример такой документации, если не сложно.

poddel писал(-а):
1.энергия запасенная конденсаторами выходного фильтра много больше энергии, могущей быть запасеной дросселем; 2. Снято дополнительное питание по силовой части преобразователя, контроллер преобразователя продолжает функционировать (запитан,например через шину); важно, что открыт нижний транзистор (возможно, он пробился в кз); 3. при некотором пороге снижающегося напряжения на GPU сопротивление GPU резко возрастает (для полупроводника обычное дело, так сказать); 4. выходные конденсаторы начнут разряжатся через дроссель и открытый транзистор, и далее ток дросселя, текущий в обратном направлении создаст отрицательное напряжение на GPU.
Нда, заметны довольно сильные отличия от первоначальных рассуждений:D. Вы как-нибудь определитесь, что вы хотели сказать - то ли совсем отключаем входное напряжение и закорачиваем нижнее плечо, то ли сначала отключить входное напряжение, а потом снова его подключить:).
Хотя я могу и по второму варианту пройтись.
Современные GPU (да и CPU) сохраняют довольно таки значительное потребление до довольно низких напряжений (из-за большого количества транзисторов с малыми размерами и, соответственно, неплохими токами утечки). Буквально недавно NiTr0 приводил некоторые цифры. Так что вариант с достаточно резким увеличением сопротивления нагрузки не получится:). При сильном желании можно взять примерные цифры и посчитать переходный процесс с вышеуказанными условиями.

Albatron 8600GT перезагружает компьютер