MOSFET - это Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor.
Нижеизложенная методика обеспечивает проверку MOSFET'ов вне схемы. MOSFET должен находиться на непроводящей поверхности. Поверхность MOSFET'а должна быть относительно чистой, т.к. загрязнение поверхности между выводами MOSFET'а может привести к искажению результатов проверки. Также следует обращать внимание на соотношение Vgs(th) и максимального напряжения, выдаваемого мультиметром в режиме проверки диодов.
Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на проверку диодов (обычно он пищит на этом положении), черный щуп слева на подложку (D - сток), красный на дальний от себя вывод справа (S - исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде - 502 мВ, транзистор закрыт (Рис.4). Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G - затвор) (Рис.5) и опять возвращаем его на дальний (S - исток), тестер показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться не 0, а 150...170 мВ): полевой транзистор открылся прикосновением (Рис.6).
Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G - затвор) ножки, не отпуская красного щупа (Рис.7), и вернуть его на подложку (D - сток), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500 мВ (Рис.8). Это верно для большинства N-канальных полевиков в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.
Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз - исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.