GeForce EVGA GTX460 перегрев транзистора памяти

Нет, в кондера утечки нету.

Кондер для постоянного тока является обрывом цепи. И его присутствие в цепи не может так сильно снижать сопротивление, если он исправный. Вы замеры производите на отключенной видеокарте?

т.к. внутри шима есть внутренний диод в этой цепи, то попробуйте переставить щупы при замерах. 608Ом очень похоже на падение напряжения на диоде.

Ну конечно на отключенной. Мультиметр тоже исправный, батарейка новая.

т.к. внутри шима есть внутренний диод в этой цепи, то попробуйте переставить щупы при замерах. 608Ом очень похоже на падение напряжения на диоде.

Ок, попробую. Замерять так как есть сейчас с кондером впаянным? Потому что если без кондера, то между 1 и 8 ногою не какого падения напряжения нету. И еще хочу отметить, что на схеме в даташите есть только кондер между 1 и 8 ногами, а на видюхе еще резистор перед кондером стоит на 2 Ом вроде.

Теорию изучил на примере вот этой статьи edn.com/design/components-and-packaging/4341997/A-simple-guide-to-selectin...

Вывод в ней такой:

For the synchronous rectifier, Q2, the MOSFET must meet the voltage and current requirements of the application. It must also have a sufficiently low RON, so that the conduction lossis small enough to meet the efficiency target. For this MOSFET, the gate charge plays a secondary role in power dissipation.

For the control device, Q1, the dynamic or switching losses are the predominant factor, and conduction losses play a secondary role. The MOSFET should meet the voltage and current specification with as low a gate charge as possible to keep the dynamic losses small. Secondarily, seek a device with a moderate RON.

Т.е. при выборе, мосфет нижнего плеча должен удовлетворять требованиям преобразователя по напряжению и току и иметь как можно меньшее Rds. Мосфет верхнего плеча должен удовлетворять требованиям по напряжению и току и как можно меньшую емкость перехода.
Это в принципе понятно и на практике по даташитам на мосфеты нужные паратметры находятся и анализируются, но вот с температурами не очень понятно.

maco, как проводить сравнение и выбор мосфетов отталкиваясь от температуры в тяжелом режиме на практике?

C_ISS - это не емкость перехода, уже говорилось об этом.

Дык в той же статье есть формулы для расчета температуры. И есть последний абзац, в котором явно указывается принцип сравнения.

Забавно, что автор темы значительно менее активен в поиске теоретических данных.

P.S. По поводу выводов в статье - было бы неплохо понимать, что эти выводы относятся к преобразователям, в которых достаточно велико соотношение U_IN/U_OUT.

Формула есть, данные для нее можно найти из даташитов на нагрузку, шим и сам подбираемый мосфет. А вот какая температура должна быть то? Вернее ее рост. Где взять исходные данные для оценки подходит/не подходит по температурных характеристикам (т.е. по рассеиваемой мощности)?

Это тогда как перевести? Я перевел как "с как можно меньшим зарядом затвора".

Я думаю он, как и многие другие, читает и впитывает вместе со мной.

Может эти теоритические выкладки уже можно отнести к оффтопу, но я здесь пишу, т.к. начали обсуждать проблему именно в этой теме. Хотя можно создать отдельную.

Разница температур - какую захотите в пределах работоспособности элемента. Чем больше будет эта разница, тем сложнее сохранить работоспособность в случае нештатного повышения температуры окружающей среды, например.

Сойдет. Кто мешал так изначально написать и не выдумывать "емкость перехода"?

А вы почитайте об авторских экспериментах в этой теме и подумайте.

Вот эти расчеты и т.д. мне еще очень трудно понять, но кое что по немножко та пойму...!
И я для того и создал эту тему, что бы мне уже подсказали конкретно знающие люди, для того, что бы не сидеть целый год и разбираться только в теории, если бы было время, то конечно бы читал и читал... Хотя я так то конечно и буду делать, но в данном случае я просто хотел узнать какой там должен стоять мосфет из самого начала (с завода). И если бы мог все рассчитать те формулы и понять вообще что к чему, то уже давно сделал бы и не обращался к Вам за помощью.!