Вспомните простейшую схему элементарной логческой ячейки на полевиках. Это два коплементарных транзистора. В момент, когда эта схема в статическом состоянии, один из транзисторов закрыт, и такая схема вообще не потребляет тока (кроме тока утечки закрытого транзистора), в момент переключения из одного состояния в другое, наступает ситуация, когда один из транзисторов почти открылся, а второй ещё не закрылся, и появляется дополнительный ток (по аналогии с двухтактными схемами ШИМов так называемый "сквозной" ток) - это первое. Второе - при больших частотах начинает сказываться ёмкость затвора, на перезарядку которой (при переключении транзистора) надо потратить энергию. Получается наш полевой транзистор, который имеет почти бесконечно большое входное сопротивление начинает потреблять по входу определённую мощность. И чем выше рабочая частота транзистора и больше ёмкость затвора, тем больше потребление этой мощности. Ну и третье - токи утечки, которые не зависят от частоты. Кстати с последними тех. нормами имеенно ток утечки вностит всё больший и больший вклад в потребляемую мощность.
А про диод Шотки сдесь быстродействие непричём. Просто диоды Шотки имеют меньшее падение напряжения в открытгом стостоянии (т.е. меньшее сопротивление открытого перехода), чем обычные диоды, потому и нагревался он больше, но это я думаю знают все.
Вспомните простейшую схему элементарной логческой ячейки на полевиках. Это два коплементарных транзистора. В момент, когда эта схема в статическом состоянии, один из транзисторов закрыт, и такая схема вообще не потребляет тока (кроме тока утечки закрытого транзистора), в момент переключения из одного состояния в другое, наступает ситуация, когда один из транзисторов почти открылся, а второй ещё не закрылся, и появляется дополнительный ток (по аналогии с двухтактными схемами ШИМов так называемый "сквозной" ток) - это первое. Второе - при больших частотах начинает сказываться ёмкость затвора, на перезарядку которой (при переключении транзистора) надо потратить энергию. Получается наш полевой транзистор, который имеет почти бесконечно большое входное сопротивление начинает потреблять по входу определённую мощность. И чем выше рабочая частота транзистора и больше ёмкость затвора, тем больше потребление этой мощности. Ну и третье - токи утечки, которые не зависят от частоты. Кстати с последними тех. нормами имеенно ток утечки вностит всё больший и больший вклад в потребляемую мощность.
А про диод Шотки сдесь быстродействие непричём. Просто диоды Шотки имеют меньшее падение напряжения в открытгом стостоянии (т.е. меньшее сопротивление открытого перехода), чем обычные диоды, потому и нагревался он больше, но это я думаю знают все.