Опять же не указаны все условия измерения.
Придется трактовать самостоятельно: сопротивление между выводами транзистора измеряется в схеме. Нижнее плечо импульсного преобразователя при измерениии в схеме на постоянном напряжении шунтируется нагрузкой.
Для памяти редко наблюдается относительно низкое сопротивление, но можно найти прецеденты. Если при работе напряжение питания памяти нормальное, то вышеуказанное сопротивление можно считать нормальным.
Опять же не указаны все условия измерения.
Придется трактовать самостоятельно: сопротивление между выводами транзистора измеряется в схеме. Нижнее плечо импульсного преобразователя при измерениии в схеме на постоянном напряжении шунтируется нагрузкой.
Для памяти редко наблюдается относительно низкое сопротивление, но можно найти прецеденты. Если при работе напряжение питания памяти нормальное, то вышеуказанное сопротивление можно считать нормальным.