Хочу привести свои личные теоретические предположения по

Хочу привести свои личные теоретические предположения
по поводу припайки кристалла к подложке. Ну очень коротко
и примерно.
Например: Тпл. припоя=350гр. Достаточно быстро (3-5мин.)
нагреваем кристалл до Т=360гр. Почему на 10 больше?
Кусок "железа" неоднороден, имеет участки с различным составом
и структурой, соотв. и разной Тпл. Надо расплавить всех.
Почему не на 50 больше? При нагревании и тем более плавлении
гораздо быстрее образуются окислы на поверхности припоя,
увеличивается время, возможно рразрушение самой подложки и,
наверное, ещё куча всего. А вязкость расплава припоя меняетя
незначительно.
Включаем вибрационное устройство, работающее с заданной

амплитудой и мощностью, на частоте, совпадающей с собственной
резонансной частотой колебания шаров припоя на 2-3сек.-
-разрушаем кристаллы припоя. Поддерживаем 360гр. в течении
30-50сек. В это время система приходит в состояние динамической
стабилизации\равновесия. Например, выравниваются температуры
внутри системы не только из-за неравномерного нагрева
"паяльником", но и из-за того,что разные участки кристалла
и подложки имеют неодинаковую теплоёмкость и теплопроводность.
Включаем вибрационное устройство ещё на 2-3сек. и опускаем
температуру до 350гр. Здесь притормаживаем- начинаем
формировать аморфные кристаллы припоя. В дальнейшем снижаем
температуру по температурной кривой, соответствующей линии
обратного падения графика синусоиды, потом линейно.
Например, до остывания 50гр. у нас должно уйти 20-40мин.
Быстрое охлаждение крайне неблагоприятно для стеклоподобного
композита, которым залита, собственно пластинка с транзисторами
(и углы которого так любят откалывать радиолюбители!).
С другой стороны, при длительном пребывании "девайса" в печке
сильно разрушается полимерная основа подложки\текстолита
большинство пластмасс разрушаются уже при плавлении при
Т=150-220гр., испаряются межпачечные пластификаторы.
У Вас может возникнуть тысяча вопросов и возражений.
Не ставлю целью ответить на все.