Установка биполярного NPN транзистора вместо полевого n-MOS нежелательна, даже если все работает. MOSFET управляется уровнем напряжения при практически нулевом токе. Биполярник управляется током, ток управления в данном случае определяется как Iout / h21э. Из этого возможны 2 нежелательных последствия:
1. Схема управления транзистором, будучи не рассчитанная на высокий ток управления, через некоторое время может выйти из строя, особенно если повысится ток нагрузки и как следствие ток управления.
2. При высокой нагрузке схема управления может не обеспечить достаточный ток управления, как следствие - понизится выходное напряжения и снизится стабильность работы системы, что может быть чревато ошибками при работе с памятью.
На материнских платах полно n-MOS транзисторов, подавляющее большинство подойдет для замены.
Установка биполярного NPN транзистора вместо полевого n-MOS нежелательна, даже если все работает. MOSFET управляется уровнем напряжения при практически нулевом токе. Биполярник управляется током, ток управления в данном случае определяется как Iout / h21э. Из этого возможны 2 нежелательных последствия:
1. Схема управления транзистором, будучи не рассчитанная на высокий ток управления, через некоторое время может выйти из строя, особенно если повысится ток нагрузки и как следствие ток управления.
2. При высокой нагрузке схема управления может не обеспечить достаточный ток управления, как следствие - понизится выходное напряжения и снизится стабильность работы системы, что может быть чревато ошибками при работе с памятью.
На материнских платах полно n-MOS транзисторов, подавляющее большинство подойдет для замены.