Транзистор IGBT представляет собой кремниевый гибрид, составленный из мощного полевого МОП-транзистора (на выводе затвора), и "неблокируемого" тринистора (silicon controlled rectifier, SCR) между выводами коллектора и эмиттера.
Внутренняя схема - в архиве.
Преимущества транзистора IGBT перед полевым МОП-транзистором заключается в:
1. Экономия площади кремниевого кристалла,
2. Улучшеные характеристики тока через биполярный коллектор.
3. Управление транзисторами IGBT идентично управлению полевыми МОП-транзисторами. Они имеют подобные характеристики управления затвором, а схема драйвера МОП-транзистора очень хорошо работает и с транзистором IGBT.
Основные недостатки: высокое напряженние насыщения из-за наличия двух последовательных p-n-переходов и то, что он может иметь длинный "хвост" выключения, который добавляется к потерям переключения. "Хвостовые" потери ограничивают частоту переключения до менее, чем 20 кГц.
Вывод - идеальный транзистор управления (в том числе и ШИМ) двигателями в промышленной электронике, где частота переключений чуть выше диапазона звуковых частот, воспринимаемых человеком.
Транзисторы IGBT были целью многих исследований, проведённых компаниями-производителями полупроводников, и указанный временной "хвост" был существенно укорочен ( с 5 мкс - до 100 нс, и продолжает уменьшатся в более современных моделях). Уровень напряжения насыщения так же изменяется от 4В (ранние модели) до менее чем 2В (последние модификации). И хотя это - проблема для низковольтных преобразователей постоянного тока в постоянный, применение транзисторов IGBT в автономных и промышленных преобразователях большой мощности остаётся очень привлекательным. Применяют их, в основном, в преобразователях с уровнем входного напряжения выше 220 VAC, и мощностью 1кВт.
...Частично из книги Марти Брауна, "Источники питания, Расчёт и конструирование."...
Добавлено спустя 17 часов 35 минут 1 секунду:
Поджарим!
Доброго времени суток!
Порылся я по нету...
IMHO - достойное описание расчёта зажарки транзюков IGBT и MOSSFET лежит вот ТУТА. :lol:
Там есть формулы и немного описания.
Enjoy!
Shadow bilder, файл по вашей ссылке уже удалили, киньте мне на почту/ICQ/SKYPE вместе со ссылкой на эту тему, выложу.
Внутренняя схема - в архиве.
Преимущества транзистора IGBT перед полевым МОП-транзистором заключается в:
1. Экономия площади кремниевого кристалла,
2. Улучшеные характеристики тока через биполярный коллектор.
3. Управление транзисторами IGBT идентично управлению полевыми МОП-транзисторами. Они имеют подобные характеристики управления затвором, а схема драйвера МОП-транзистора очень хорошо работает и с транзистором IGBT.
Основные недостатки: высокое напряженние насыщения из-за наличия двух последовательных p-n-переходов и то, что он может иметь длинный "хвост" выключения, который добавляется к потерям переключения. "Хвостовые" потери ограничивают частоту переключения до менее, чем 20 кГц.
Вывод - идеальный транзистор управления (в том числе и ШИМ) двигателями в промышленной электронике, где частота переключений чуть выше диапазона звуковых частот, воспринимаемых человеком.
Транзисторы IGBT были целью многих исследований, проведённых компаниями-производителями полупроводников, и указанный временной "хвост" был существенно укорочен ( с 5 мкс - до 100 нс, и продолжает уменьшатся в более современных моделях). Уровень напряжения насыщения так же изменяется от 4В (ранние модели) до менее чем 2В (последние модификации). И хотя это - проблема для низковольтных преобразователей постоянного тока в постоянный, применение транзисторов IGBT в автономных и промышленных преобразователях большой мощности остаётся очень привлекательным. Применяют их, в основном, в преобразователях с уровнем входного напряжения выше 220 VAC, и мощностью 1кВт.
...Частично из книги Марти Брауна, "Источники питания, Расчёт и конструирование."...
Добавлено спустя 17 часов 35 минут 1 секунду:
Поджарим!
Доброго времени суток!
Порылся я по нету...
IMHO - достойное описание расчёта зажарки транзюков IGBT и MOSSFET лежит вот ТУТА. :lol:
Там есть формулы и немного описания.
Enjoy!