Попала ко мне видеокарта с проблемой выключается при запуске винды, вернее бывает даже игру можно включить но сразу же белый экран становится, а оказывается перегревается транзистор на (фото 1) отмечен и его уже кто то менял до меня. И я хочу спросить, какой там должен стоять транзистор или может заменить на более какой то мощный можно, почему он перегревается?
Сопротивление памяти 75 Ом, напряжение в работе 1.56В.
На фото 2 показаны транзисторы ГПУ.
Перенес в Песочницу.
maco
Кондер для постоянного тока является обрывом цепи. И его присутствие в цепи не может так сильно снижать сопротивление, если он исправный. Вы замеры производите на отключенной видеокарте?
т.к. внутри шима есть внутренний диод в этой цепи, то попробуйте переставить щупы при замерах. 608Ом очень похоже на падение напряжения на диоде.
Теорию изучил на примере вот этой статьи http://www.edn.com/design/components-and-packaging/4341997/A-simple-guide-to-selecting-power-MOSFETs
Вывод в ней такой:
For the synchronous rectifier, Q2, the MOSFET must meet the voltage and current requirements of the application. It must also have a sufficiently low RON, so that the conduction lossis small enough to meet the efficiency target. For this MOSFET, the gate charge plays a secondary role in power dissipation.
For the control device, Q1, the dynamic or switching losses are the predominant factor, and conduction losses play a secondary role. The MOSFET should meet the voltage and current specification with as low a gate charge as possible to keep the dynamic losses small. Secondarily, seek a device with a moderate RON.
Т.е. при выборе, мосфет нижнего плеча должен удовлетворять требованиям преобразователя по напряжению и току и иметь как можно меньшее Rds. Мосфет верхнего плеча должен удовлетворять требованиям по напряжению и току и как можно меньшую емкость перехода.
Это в принципе понятно и на практике по даташитам на мосфеты нужные паратметры находятся и анализируются, но вот с температурами не очень понятно.
maco, как проводить сравнение и выбор мосфетов отталкиваясь от температуры в тяжелом режиме на практике?
Дык в той же статье есть формулы для расчета температуры. И есть последний абзац, в котором явно указывается принцип сравнения :D.
Забавно, что автор темы значительно менее активен в поиске теоретических данных :).
P.S. По поводу выводов в статье - было бы неплохо понимать, что эти выводы относятся к преобразователям, в которых достаточно велико соотношение UIN/UOUT.[/OFF]
Формула есть, данные для нее можно найти из даташитов на нагрузку, шим и сам подбираемый мосфет. А вот какая температура должна быть то? Вернее ее рост. Где взять исходные данные для оценки подходит/не подходит по температурных характеристикам (т.е. по рассеиваемой мощности)?
Это тогда как перевести? Я перевел как "с как можно меньшим зарядом затвора".
Я думаю он, как и многие другие, читает и впитывает вместе со мной. :)
Может эти теоритические выкладки уже можно отнести к оффтопу, но я здесь пишу, т.к. начали обсуждать проблему именно в этой теме. Хотя можно создать отдельную.
Сойдет :). Кто мешал так изначально написать и не выдумывать "емкость перехода"?
А вы почитайте об авторских экспериментах в этой теме и подумайте :).[/OFF]
Вот эти расчеты и т.д. мне еще очень трудно понять, но кое что по немножко та пойму...!
И я для того и создал эту тему, что бы мне уже подсказали конкретно знающие люди, для того, что бы не сидеть целый год и разбираться только в теории, если бы было время, то конечно бы читал и читал... Хотя я так то конечно и буду делать, но в данном случае я просто хотел узнать какой там должен стоять мосфет из самого начала (с завода). И если бы мог все рассчитать те формулы и понять вообще что к чему, то уже давно сделал бы и не обращался к Вам за помощью.!