Всем привет. Диагностировал я на этой плате 2 пробитых транзистора по питанию северного моста, они находятся под защелкой слота PCI-E. Вбил в поиск, вышло несколько вариантов с аналогичной проблемой.
Надо подобрать аналог. Прочитал эту ( https://rom.by/book/Kak_podobrat_analog_polevogo_tranzistora ) статью , все понятно, но как же коэффициент усиления? Почему про него ничего нет? И так ли это важно?
Изначальный транзистор это 9T16GH, хочу заменить на FDD6680.
У сгоревшего крутизна меньше, у нового в 2.5 раза больше.
Будет ли драйвер подавать одно и то же напряжение на затвор или он сам настраивает так, чтобы на стоке было правильное напряжение?
Есть такой параметр как пороговое напряжение, например. Т.е. иногда нужно задумываться о нелинейности элемента.
Зависит от схемного расположения транзистора. Я легко могу привести пример схемного расположения транзистора, в которых наличие или отсутствие напряжения на затворе транзистора не приводит к изменению напряжения на его стоке :D.[/OFF]
Просто скажите, можно ли 9T16GH заменить на FDD6680? :)
Забавный бред :).
Вас чем-то не устраивают сведения, указанные здесь?[/OFF]
Вам он забавен, а мне нет. Я задавал конкретные вопросы, на которые можно было ответить "ДА" или "НЕТ".
Просто скажите - можно или нет?
Можно :). Но необязательно нужно :).
Хорошо, когда люди готовы верить всякой ерунде :D.
Можно :lol:.[/OFF]