By FAS , 2 April 2008
сгорел один из транзисторов питания процесора 70L02H, при замене на такой же нагревается до температуры выше 60 градусов, пробовал менять все мосфеты по питанию проца(4 шт), шим L6916D, дросели(тоже греются). Питание процесора 1,37В. Сколько должно быть? процесор пентиум 3,0 ГГц.
мать стартует.

Помогите прояснить ситуацию, что происходит? Мож кто богат даташитом на шим L6916D.
The content of this field is kept private and will not be shown publicly.

BBCode

  • No HTML tags allowed.
  • You may use the following BBCode tags:
    • [align]
    • [b]
    • [code]
    • [color]
    • [font]
    • [hr]
    • [i]
    • [img]
    • [list]
    • [quote]
    • [s]
    • [size]
    • [spoiler]
    • [sub]
    • [sup]
    • [table]
    • [u]
    • [url]
  • Web page addresses and email addresses turn into links automatically.

FAS

17 years 11 months ago

ШИМ-контроллер менял два раза. http://files.myopera.com/Creat0R/Opera_AC/Icons/Kolobki/upset.gif

maco

17 years 11 months ago

IMHO эти искажения не влияют на работу.
Осциллограмма на затворах верхних транзисторах? Осциллогграмма в точке соединения верхнего и нижнего транзистора? Причем желательно осциллограммы на затворах верхних и нижних транзисторов поглядеть совместно.

FAS

17 years 11 months ago

Осциллограмма на затворах верхних транзисторах? Осциллогграмма в точке соединения верхнего и нижнего транзистора?



Я так понял приводить осцилограммы сигналов на затворе каждого транзистора в отдельности нет необходимости, они одинаковые в соответствующих точках каналов. Хотя может я не туда смотрю. http://files.myopera.com/Creat0R/Opera_AC/Icons/Kolobki/unsure.gif

maco

17 years 11 months ago

Хотелось бы видеть эти осциллограммы, но снятые с помощью двухлучевого осциллографа (то, что я имел в виду под выражением "совместно").
Работа от +5В при неизвестном нам процессоре (могли бы написать хотя бы sSpec) с тактовой частотой 3 ГГц с учетом двухфазности преобразователя в принципе не радует. Для таких случаев могу порекомендовать заменить имеющиеся нижние транзисторы на транзисторы с более низким сопротивлением в открытом состоянии.