замена мосфету P0903BGD
правильно ли я подобрал замена мосфету P0903BGD
SPD50N03S2-07 (в буклете написано, что маркируется PN0307)?
datasheets attached.
вызывает сомнение разница в Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage: один при 85мА, другой - при 250мА
располжение транзистора обозначено синей стрелочкой на приложенном фото (без масштабирования).
причина замены: взорвался, разлетелся на кусочки. после длительной нагрузки (проц. prescott грелся до 75 град длительное время, а место там слабопроветриваемое. скорее всего, от перегрева: когда после длительной нагрузки я его выключил, а потом остывший снова включил).
статья о подборе полевого транзистора: rom.by/book/Kak_podobrat_analog_polevogo_tranzistora
| Вложение | Размер |
|---|---|
| P0903BDG.pdf | 285.57 КБ |
| 216-12247-0-SPD50N03S2-07-1_copy.pdf | 462.25 КБ |
| 86039_2245_draft.jpg | 110.18 КБ |
Рекомендуется к прочтению по той же теме
Прошивка и настройка BIOS, переделка и ремонт материнских плат, БП, видеокарт, HDD.
ROM.by 2002-2019 © apple_rom
0,3 Ома? Наверное, есть смысл снять все и проверить.
iso, Вы случаем результаты измерений не в режиме прозвонки приводите?
те, которые по 1 или по 2 в группе?
нет, в режиме 200 и 2К в разделе с подковой
замерял сопротивление с затвора на землю:
подбитый и замененный 66,5
два других: 1,3 и 9,0
у тех, которые по паре: 0,3 и 0,3 (рядом с подбитым); у остальных 738
p.s. что такое "нижнее плечо"?
наверное, надо выпаивать рекордсменов.
если замененный даёт 66 ом между истоком и затвором и между затвором и землёй, то это, наверное, нормально?
а другие, у которых 0,3/1,3 и 7,9/8,9 - наверняка, поломанные.
и два в группе возле смененного, у которых 0,3/0,3 против 740(980) у 4-х других.
По поводу "нижнего плеча" - это я Вас процитировал, iso. Одиноко стоящие транзисторы (от групп по два) - верхние мосфеты соответствующих фаз, на стоке которых имеем 12В, а 12В у Вас в КЗ. Снимаем их, проверяем и для интереса смотрим, как изменятся сопротивления нижних.
нижние (по 2 в группе) "nikos p70n02ldg" поломаные, похоже, что возле уже замененного. а заменный даёт сопротивление 66Ом. т.е. по моим подсчётам снимать надо два "нижних" возле смененного и два (остальных) верхних. вопрос: надо ли снимать смененный?
iso, вам не надоело описывать географически транзисторы, "подбитые, замененные" и не очень?
у каждого транзистора имеется позиционное обозначение
чтобы разобраться в "верхних и нижних", достаточно изучить даташит на шим, чего вы до сих пор не сделали
прежде чем делать выводы о "поломанных" транзисторах, неплохо бы понимать, что сигналы на затворы поступают с шим, и что в данном случае "звонится" на землю - затвор или управляющий выход шим - неизвестно, пока вы не разорвете цепь управления (заодно и низкоомные резисторы проверите)
и какой лучше мосфет на замену: есть тот, у которого сопротивление Rds(on) соответствует оригиналу (чуть меньше, но те же вольт-амперы, а есть с сопротивление Rds(on) 16 против 9,5 (модель 60NF06T4 datasheet приложен здесь, на оригинальный и первый вариант в 1м посте), но вольт-амперы выше. по таблице Rds(on) в стабилизаторе напряжения не имеет значения. (стоят одинаково)
makarog
я пытаюсь понять, надо ли выпаивать только подорительные мосфеты, у которых низкие сопротивления, а это:
"верние" ("одинокие"): Q20 и Q8 + "нижние" ("по2"): Q22 и Q24
(замененный Q25)
или все (что сложнее)
datashett isl6566 attached
Отправить комментарий