Собрать импульсный преобразователь и погонять его в разных режимах с использованием осциллографа, например. Хотя, судя по предыдущему ответу, на это сложно рассчитывать.
В остальном - есть методика первичной проверки MOSFET'ов - пользуйтесь. Методика подразумевает проверку MOSFET'ов вне схемы (основное требование - изоляция затвора от остальных контактов). Но обычно достаточно быстрой проверки в схеме на предмет поиска элементов с отклонениями (в сторону КЗ между стоком и истоком), затем анализ схемы и проверка сопротивления между затвором и стоком/истоком проблемных элементов.
В остальном - есть методика первичной проверки MOSFET'ов - пользуйтесь. Методика подразумевает проверку MOSFET'ов вне схемы (основное требование - изоляция затвора от остальных контактов). Но обычно достаточно быстрой проверки в схеме на предмет поиска элементов с отклонениями (в сторону КЗ между стоком и истоком), затем анализ схемы и проверка сопротивления между затвором и стоком/истоком проблемных элементов.