Дело даже не в самом Vgs(th), а в Vgs, при котором транзистор близок к открытию, так сказать Vgs(on). Прямо этот параметр не указывается, но указывается Rds(on) при различных Vgs, и если в списке есть Rds(on) при Vgs=2.5V (или 2.8V) - то что нужно. Из распространенных подходят 9915, 9916 (9T16), 9918 (9T18), FDD6512A, IRFR3706, а также PHD45N03LT и PHD55N03LT, хотя для них в даташите такого параметра нет. После установки неродного транзистора в такой схеме нужно контролировать напряжение на затворе под нагрузкой, оно должно быть не выше 4.6-4.8V, для обеспечения запаса по управлению.
Дело даже не в самом Vgs(th), а в Vgs, при котором транзистор близок к открытию, так сказать Vgs(on). Прямо этот параметр не указывается, но указывается Rds(on) при различных Vgs, и если в списке есть Rds(on) при Vgs=2.5V (или 2.8V) - то что нужно. Из распространенных подходят 9915, 9916 (9T16), 9918 (9T18), FDD6512A, IRFR3706, а также PHD45N03LT и PHD55N03LT, хотя для них в даташите такого параметра нет. После установки неродного транзистора в такой схеме нужно контролировать напряжение на затворе под нагрузкой, оно должно быть не выше 4.6-4.8V, для обеспечения запаса по управлению.