Автор: real-comp-master , 14 марта 2017
Вкурил маны небесной... и только потом стало ясно что на сорсе и на дрейне должно быть примерно то же напряжение если на гейте почти 12В.
Но в даташите
http://pribor-systems.ru/fromoremax/PDF/MOSFET/AP40T03GH.pdf
так и не нашёл где это можно проверить.

кроме Vgs +/- 25V ничего.

Отделено отсюда.
maco
Содержимое данного поля является приватным и не предназначено для показа.
О текстовых форматах

BBCode

  • HTML-теги не обрабатываются и показываются как обычный текст
  • You may use the following BBCode tags:
    • [align]
    • [b]
    • [code]
    • [color]
    • [font]
    • [hr]
    • [i]
    • [img]
    • [list]
    • [quote]
    • [s]
    • [size]
    • [spoiler]
    • [sub]
    • [sup]
    • [table]
    • [u]
    • [url]
  • Адреса веб-страниц и email-адреса преобразовываются в ссылки автоматически.
Да что Вы прицепились к этому предельному напряжению?
Это всего лишь максиальное напряжение, при котором еще не происходит
пробоя промежутка затвор исток/сток. При большем работоспособность не гарантируется.

Мне выше сказали что 25В для этого мосфета - напр. макс. открытия.
От того и иду.

Если на сорсе 1.5В а на гейте напр упадёт скажем с 10В до 1.5В - то гейт должен разрядитья и мосфет закроется.
Начнёт от открываться при 2.5В на гейте при таких условиях.

PS. При желании можно без особых усилий обеспечить напряжение на затворе
выше напряжения питания.


Да, но зачем городить, когда можно взять мосфетс параметрами под стандартное питание?
Забавный бред

почему бред?
ШИМ подкачивает на дроссель ЭДС с 12В или 5В, следя за тем чтобы напряжение в цепи было 1.8В
Хотя во многих случаях это уже будет бесполезно по причине потери контекста в памяти при таком напряжении питания

А кто его знает. Может память серверная очень хитрая. Возмёт да начнёт такты пропускать, чтобы снизить энергопотребление.
Мосты должны оставаться в сознании, чтобы, например, правильно завершить работу.

1. Как охарактеризовать "полное открытие" реального транзистора в цифрах;

В цифрах я погу сказать только из того что в даташите написано.

Например при той же схеме включения,
на дрейне 5В
на сорсе требуется 3.3В
При напр полного открытия 25В к сорсу
на гейте отностильно массы 18,678В

maco

8 лет 11 месяцев назад

[OFF]
Мне выше сказали что 25В для этого мосфета - напр. макс. открытия.
И вы до сих пор не показали, зачем линейному стабилизатору будет нужно максимльно "полное открытие", а заодно и чем максимально "полное открытие" отличается от просто "полного открытия" :D. Я уже не говорю о наличии в реальной схемы нужного напряжения :lol:.

почему бред?
Потому что дроссель не является принципиально обязательным элементом понижающего импульсного стабилизатора :D.

А кто его знает.
Разработчики, документация. Но какой же real-comp-master будет задумываться о документации или проектировании стабилизаторов :lol:.[/OFF]

i8088

8 лет 11 месяцев назад

Мне выше сказали что 25В для этого мосфета - напр. макс. открытия.

Процитируйте.

Да, но зачем городить, когда можно взять мосфетс параметрами под стандартное питание?

У него нет такого параметра как напряжения питания.

ШИМ подкачивает на дроссель ЭДС с 12В или 5В, следя за тем чтобы напряжение в цепи было 1.8В

Хоть почитайте про принцип действия понижающего импульсного стабилизатора.

maco

8 лет 11 месяцев назад

[OFF]
Процитируйте.
-->


В цифрах я погу сказать только из того что в даташите написано.
Нда, вам бы еще думать нужно научиться, чтобы из документации приводить правильные цифры :lol:.[/OFF]
Процитируйте.


Для особо глупых:):
VGS(max)=25V;
VGS(min)=-25V;
VGS(th) от 1 до 3 В.
Предельные значения - первые 2. Одно из них соответствует полному открытию. Надеюсь, что у вас ума хватит догадаться, какое именно:D.


Представляете, не хватит!!! (теперь уже совсем запутался :) )
Но исходя из того что на гейт подаётся +11В должно быть им является +25В.


На самом деле я думаю что 3В макс открытие. Дальше амперы увеличиваются незначительно.
В этом случае надо сказать что схема крайне тупая если не может определить неисправность мосфета и подаёт 11В на его гейт.

maco

8 лет 11 месяцев назад

[OFF]
На самом деле я думаю что 3В макс открытие. Дальше амперы увеличиваются незначительно.
Нда, автор начинает скатываться в совсем явный идиотизм :lol:.

В этом случае надо сказать что схема крайне тупая если не может определить неисправность мосфета и подаёт 11В на его гейт.
Угу, а еще эта схема не может заменить неисправный элемент и, виляя хвостом, доложить хозяину "за время несения службы был замечен и устранен нарушитель спокойствия" :lol:.[/OFF]

i8088

8 лет 11 месяцев назад

В этом случае надо сказать что схема крайне тупая если не может определить неисправность мосфета и подаёт 11В на его гейт.

Схема уже сама определяет неисправность, хорошо бы и поменяла сама транзистор.
Про ООС почитайте.
Нда, автор начинает скатываться в совсем явный идиотизм lol.


http://electronics.stackexchange.com/questions/195073/is-mosfet-gate-threshold-voltage-a-limit-or-minimal-full-on-switching-voltage

maco

8 лет 11 месяцев назад

[OFF]Т.е. ваш идиотизм не позволяет связать ваше же высказывание с какой-нибудь цитатой из материала по приведенной ссылке :D?
Я бы с удовольствием почитал еще какой-нибудь маразм от вас :).[/OFF]